Ngày 26 tháng 10, nhà sản xuất bộ nhớ Hàn Quốc SK Hynix đã thông báo rằng công ty đã thành công trong việc phát triển sản phẩm giải pháp di động UFS 4.1 được trang bị bộ nhớ flash NAND 4D TLC 1Tb 321 lớp hàng đầu thế giới.
SK Hynix cho biết, để đạt được hoạt động ổn định của AI biên trong các thiết bị di động, sản phẩm giải pháp bộ nhớ flash NAND cần phải kết hợp hiệu suất cao và tiêu thụ năng lượng thấp. Điều này phụ thuộc vào sản phẩm UFS 4.1 tối ưu hóa cho các tác vụ AI, củng cố vị thế lãnh đạo trong thị trường bộ nhớ smartphone flagship.
SK Hynix chỉ ra rằng nhu cầu về AI biên đang tiếp tục phát triển, sự cân bằng giữa hiệu suất tính toán của thiết bị đầu cuối và hiệu quả pin ngày càng trở nên quan trọng. Thiết kế siêu mỏng và tính năng tiết kiệm năng lượng đã trở thành tiêu chuẩn công nghiệp cho các thiết bị di động. Để đáp ứng xu hướng này, SK Hynix phát triển sản phẩm mới có hiệu quả năng lượng cải thiện 7% so với thế hệ trước dựa trên bộ nhớ flash NAND 238 lớp, với độ dày giảm từ 1mm xuống 0.85mm, phù hợp với các smartphone siêu mỏng.
Sản phẩm hỗ trợ tốc độ đọc tuần tự cao nhất của sản phẩm UFS thế hệ thứ tư, với tốc độ truyền dữ liệu lên tới 4,300MB/s. Điều này quyết định khả năng xử lý đa nhiệm của thiết bị di động với tốc độ đọc và ghi ngẫu nhiên. So với sản phẩm thế hệ trước, hiệu suất đã cải thiện lần lượt 15% và 40%, đạt tiêu chuẩn hàng đầu thế giới cho sản phẩm UFS 4.1.
SK Hynix nhấn mạnh rằng việc cung cấp dữ liệu ngay lập tức cho AI biên làm tăng đáng kể hiệu suất hoạt động và tốc độ phản hồi của ứng dụng, cải thiện trải nghiệm thực tế của người dùng. Có hai dung lượng là 512GB và 1TB, sẽ gửi mẫu cho khách hàng xác thực trong năm nay và bắt đầu sản xuất hàng loạt vào quý đầu tiên của năm 2026.
Ông An Hyun, giám đốc nghiên cứu và phát triển của SK Hynix, cho biết, với sự phát triển của sản phẩm này, công ty sẽ hoàn thành việc phát triển sản phẩm SSD cho người tiêu dùng và trung tâm dữ liệu dựa trên bộ nhớ flash NAND 4D 321 lớp hàng đầu thế giới trong năm nay. SK Hynix đang xây dựng một bộ sản phẩm có tính cạnh tranh về công nghệ AI trong lĩnh vực bộ nhớ flash NAND, củng cố vị thế nhà cung cấp bộ nhớ AI toàn diện.
(Hình ảnh đầu tiên từ SK Hynix)