Các phương tiện truyền thông Hàn Quốc đưa tin, gã khổng lồ xử lý AMD đã phát hành dòng chip trí tuệ nhân tạo (AI) MI350 tuần trước, được trang bị bộ nhớ HBM3E băng thông cao 12 lớp của Samsung, đây chắc chắn là tin tốt cho Samsung vì chứng nhận HBM của NVIDIA liên tục gặp khó khăn. AMD dự kiến sẽ ra mắt dòng chip MI400 vào năm tới, đồng thời cũng kỳ vọng vào nguồn cung HBM4 của Samsung.
AMD đã tổ chức sự kiện AI Advancing 2025 tại Trung tâm Hội nghị San Jose, California, công bố bộ tăng tốc AI mới của mình là MI350X và MI355X sẽ được trang bị bộ nhớ HBM3E 12 lớp của Samsung Electronics và Micron. Điều này có vẻ như là sự xác nhận đầu tiên từ AMD sau khi Samsung liên tục cung cấp bộ nhớ HBM cho AMD trước đó. Do MI350X và MI355X về bản chất giống nhau, chỉ khác nhau ở thiết kế tản nhiệt, sự thay đổi này sẽ ảnh hưởng đến tốc độ thực thi tối đa của chúng. Do đó, với cả hai sản phẩm đều được trang bị dung lượng bộ nhớ 288GB, tăng 12,5% so với MI300X thế hệ trước với 192GB và MI325X với 256GB, hiệu suất sẽ được nâng cao.
Ngoài ra, máy chủ khung gầm tích hợp 8 chip sẽ sử dụng tổng cộng 2,3TB bộ nhớ HBM3E. Hơn nữa, AMD cũng đã công bố một kế hoạch nhằm tăng doanh số bán máy chủ khung gầm có thể trang bị lên đến 128 GPU. Vì vậy, dự kiến kế hoạch này sẽ mang lại nguồn cung lớn cho bộ nhớ HBM của Samsung.
Business Korea báo cáo rằng, thị trường HBM4 dự kiến sẽ mở cửa hoàn toàn vào năm 2026. Dòng GPU MI400 của AMD sẽ được trang bị bộ nhớ HBM4 432GB vào năm 2026. Dự kiến cũng sẽ có máy chủ khung gầm Helios trang bị 72 GPU MI400, mỗi khung gầm sẽ được trang bị 31TB bộ nhớ HBM4, khả năng tính toán AI của nó sẽ gấp 10 lần máy chủ khung gầm MI355X hiện tại. Giám đốc điều hành AMD, Lisa Su đã nhấn mạnh trong sự kiện rằng, khả năng tính toán của nó tương đương với máy chủ khung gầm Vera Rubin của NVIDIA, nhưng dung lượng và băng thông HBM là 1,5 lần so với máy chủ khung gầm Vera Rubin.
Sau khi tiêu chuẩn JEDEC được xác định, HBM4 sẽ bước vào giai đoạn sản xuất hàng loạt. Samsung và SK Hynix sẽ bắt đầu sản xuất HBM4 vào cuối năm nay. Samsung đang bị tụt lại trong cuộc cạnh tranh bộ nhớ HBM thế hệ này, quyết tâm đảo ngược tình thế với HBM4. SK Hynix và Micron đang phát triển HBM4 với công nghệ 10 nm thế hệ thứ năm, trong khi Samsung nhắm đến công nghệ 10 nm thế hệ thứ sáu tiên tiến hơn, nỗ lực giành lại vị trí dẫn đầu thị trường bộ nhớ. Dữ liệu từ công ty nghiên cứu thị trường Omdia cho thấy, vào quý đầu tiên năm 2025, SK Hynix chiếm 36,9% thị phần DRAM toàn cầu, kế tiếp là Samsung (34,4%) và Micron (25%).
Các chuyên gia thị trường Hàn Quốc cho biết, nếu Samsung không thể trở lại mạnh mẽ với HBM4, khoảng cách với SK Hynix chỉ càng được mở rộng. AMD cũng đang cố gắng thu hẹp khoảng cách với NVIDIA thông qua dòng MI400, vì vậy Samsung cần tiếp tục củng cố mối quan hệ hợp tác được bắt đầu bởi dòng MI350.
(Hình ảnh đầu tiên: nguồn Công nghệ mới)