Theo báo cáo từ truyền thông Hàn Quốc, ngành công nghiệp bộ nhớ Hàn Quốc đang phải đối mặt với thách thức nghiêm trọng từ Trung Quốc, chủ yếu biểu hiện qua việc đào tẩu nhân tài, ăn cắp công nghệ và mua sắm thiết bị bán dẫn với giá cao, dẫn đến việc thị phần của các công ty bộ nhớ Trung Quốc tăng nhanh, đe dọa vị thế dẫn đầu của Hàn Quốc.
Báo Hankyung của Hàn Quốc đưa tin, các doanh nghiệp Trung Quốc đang tiến bộ nhanh chóng về công nghệ, chủ yếu nhờ vào việc thu hút nhân tài từ các công ty hàng đầu Hàn Quốc như Samsung và SK Hynix, cũng như đánh cắp các công nghệ tiên tiến như HBM (bộ nhớ băng thông cao). Những trường hợp tương tự về hoạt động gián điệp công nghệ thường xảy ra tại các quốc gia khác, chẳng hạn như Bộ trưởng Quốc phòng Hà Lan từng tiết lộ rằng ngành công nghiệp đang nghi ngờ Trung Quốc cố gắng đánh cắp công nghệ EUV của ASML.
Ngoài công nghệ và việc thu hút nhân tài, các lệnh trừng phạt của Mỹ đã thúc đẩy các công ty bộ nhớ Trung Quốc nhanh chóng thu hồi thiết bị, sẵn sàng đặt hàng khẩn cấp với giá cao gấp 1.7 đến 2 lần so với giá gốc từ các nhà cung cấp thiết bị bán dẫn Hàn Quốc, để nhanh chóng sản xuất các sản phẩm tiên tiến như LPDDR5 và HBM. Điều này cũng do hơn 90% thị trường thiết bị bán dẫn toàn cầu hiện đang nằm trong tay các nhà sản xuất Mỹ và Nhật Bản, trong khi sản phẩm Hàn Quốc ít bị quản lý bởi Mỹ, nên trở thành lựa chọn thay thế cho các công ty Trung Quốc thông qua các nước thứ ba.
Dữ liệu thị trường cho thấy thị phần của các công ty bộ nhớ Trung Quốc tăng trưởng nhanh chóng. Trong thị trường bộ nhớ NAND flash, công ty Changjiang Storage của Trung Quốc đã đạt thị phần toàn cầu 8.1% trong quý đầu tiên của năm nay, đứng thứ sáu, đây là lần đầu tiên thị phần của công ty bán dẫn Trung Quốc được xác nhận chính thức. Changjiang Storage đã phát triển sản phẩm NAND với khoảng 300 lớp xếp chồng, tương đương với Samsung. Các chuyên gia dự đoán rằng, trong một hoặc hai năm tới, Changjiang Storage có thể đuổi kịp SK Hynix và Micron, tiến vào top 3 thị trường NAND toàn cầu trong nửa cuối năm.
Phần DRAM, Changxin Storage của Trung Quốc đã đạt thị phần 4.1%, đứng thứ tư, chỉ sau SK Hynix, Samsung và Micron. Cấu trúc ngành DRAM lâu dài do ba ông lớn chi phối có thể bị phá vỡ. Changxin Storage đang phát triển bộ nhớ băng thông cao thế hệ thứ tư (HBM3), và trong nửa cuối năm sẽ trở thành một trong bốn nhà cung cấp DRAM hàng đầu toàn cầu cùng Samsung, SK Hynix và Micron.
Ngành công nghiệp bán dẫn Hàn Quốc đã rất ngạc nhiên khi nhận được báo cáo thị phần từ TrendForce trong quý đầu tiên. Giáo sư Hwang Jeol-seong (phiên âm) từ Đại học Quốc gia Seoul nhấn mạnh rằng trong vòng mười năm tới, vị thế dẫn đầu toàn cầu về DRAM có thể chuyển giao từ Hàn Quốc sang Trung Quốc. Các chuyên gia cảnh báo rằng cuộc xâm lăng của “bộ nhớ đỏ” Trung Quốc chỉ mới bắt đầu, với nhu cầu mạnh mẽ từ thị trường Trung Quốc hỗ trợ và có công nghệ hàng đầu.
(Hình đầu tiên nguồn: Pixabay)