Các phương tiện truyền thông quốc tế đưa tin, NEO Semiconductor đã công bố một công nghệ mới nhằm thay đổi hoàn toàn tình hình của bộ nhớ DRAM. Công ty đã giới thiệu hai thiết kế đơn vị 3D X-DRAM mới, bao gồm 1T1C và 3T0C, với thiết kế một transistor một tụ điện và ba transistor không tụ điện, dự kiến sẽ sản xuất chip thử nghiệm vào năm 2026, cung cấp dung lượng gấp 10 lần so với các mô-đun DRAM hiện tại.
Theo báo cáo của Tom’s Hardware, với công nghệ 3D X-DRAM hiện có của NEO, công nghệ mới được công bố được cho là có thể chứa dung lượng 512 Gb (64 GB) trên một mô-đun duy nhất, nhiều hơn ít nhất 10 lần so với bất kỳ mô-đun nào trên thị trường hiện nay. Trong các thử nghiệm mô phỏng của NEO, tốc độ đọc/ghi được đo là 10 ns và thời gian bảo lưu vượt quá 9 phút, cả hai hiệu suất này đều vượt trội so với khả năng của DRAM hiện tại.
Báo cáo cho biết, các đơn vị 1T1C và 3T0C được thiết kế dựa trên vật liệu tinh thể oxit indium gallium zinc (IGZO) – một loại vật liệu tinh thể nổi tiếng vì ứng dụng của nó trong công nghệ hiển thị. Chúng có thể được xây dựng giống như 3D NAND, tức là sử dụng thiết kế chồng, giúp tăng dung lượng và thông lượng, đồng thời duy trì trạng thái tiết kiệm năng lượng. Các đơn vị lưu trữ này áp dụng quy trình thiết kế 3D NAND cải tiến, NEO hy vọng các cơ sở sản xuất 3D NAND hiện có có thể nâng cấp nhanh chóng và dễ dàng để sản xuất các sản phẩm thiết kế mới.
Giám đốc điều hành NEO, Andy Hsu, cho biết, với việc ra mắt công nghệ 3D X-DRAM 1T1C và 3T0C, chúng tôi đang định nghĩa lại khả năng của công nghệ bộ nhớ. Hơn nữa, sáng chế này đã vượt qua các giới hạn mở rộng của DRAM hiện nay, biến NEO trở thành người dẫn đầu trong bộ nhớ thế hệ tiếp theo.
NEO Semiconductor dự kiến sẽ chia sẻ thêm thông tin về 1T1C, 3T0C, cũng như các sản phẩm dòng 3D X-DRAM và 3D NAND khác tại IEEE IMW trong tháng này. Khi các công ty và công nghệ như DRAM+ áp dụng FeRAM cũng đang cạnh tranh để phát triển tiếp theo của công nghệ DRAM, điều này đã khiến các nhà cung cấp lớn như SK Hynix cũng hào hứng phát triển tiêu chuẩn DRAM lớn hơn. Mặc dù 3D X-DRAM hiện đang đối mặt với những thách thức, nhưng vẫn thu hút được sự chú ý của mọi người.
(Hình ảnh đầu tiên: NEO Semiconductor)